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論文

High flux ion beam acceleration at the 100-eV level for fusion plasma facing material studies

吉田 肇; 横山 堅二; 谷口 正樹; 江里 幸一郎; 鈴木 哲; 秋場 真人

Fusion Engineering and Design, 81(1-7), p.361 - 366, 2006/02

 被引用回数:2 パーセンタイル:17.14(Nuclear Science & Technology)

プラズマ対向材料と核融合周辺プラズマの相互作用について研究するため、100-eV級・高粒子束・大面積・定常イオンビームを開発した。新型イオン引出し電極を開発し、超低エネルギーイオン源(SLEIS)に設置し試験を行った。水素イオンビームにおいて、エネルギーが60-200eVと極端に低いにもかかわらず、既存の高粒子束イオン源と同程度の粒子束($$>$$1020H/m$$^{2}$$s)が得られた。この100-eV級イオンビーム加速は、ダイバータ部におけるプラズマ壁相互作用の研究に役立つ。

論文

Velocity bunchingされた電子バンチのダブルスリット法によるエミッタンスの測定

飯島 北斗; 羽島 良一; 上坂 充*; 作美 明*; 坂本 文人*; 上田 徹*

Proceedings of 2nd Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan and 30th Linear Accelerator Meeting in Japan, p.501 - 503, 2005/07

エネルギー回収型超伝導リニアック(ERL)は、次世代放射光源として高輝度かつコヒーレントなX線発生を実現する技術として注目を浴びている。こうしたX線の利用方法はさまざまであるが、その1つにpump-and-probe法による超高速現象の観測が挙げられ、こうした実験では高時間分解能を必要とすることから、100fs程度の電子バンチの生成が要求される。そこでわれわれは、この極短電子バンチの生成方法としてmain linacでのvelocity bunchingを考え、PARMELAによるシミュレーションでこれを評価した。加速管はTESLA型を仮定した。これにより電荷量77pCの電子バンチが3.2psから0.17psまで圧縮できることを確認した。エミッタンスに関しては1.5$$pi$$mm.mradで、わずかな増大が確認されたが、それは許容範囲であった。今後、このシミュレーションをもとに低電荷量,低エミッタンスビームに対する圧縮の実証実験を東大18Lライナックで行う。

論文

Experimental verification of velocity bunching via shot-by-shot measurement at S-band photoinjector and linac

飯島 北斗; 上坂 充*; 坂本 文人*; 上田 徹*; 熊谷 教孝*; Serafini, L.*

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 44(7A), p.5249 - 5253, 2005/01

 被引用回数:8 パーセンタイル:32.14(Physics, Applied)

「速度集群」と呼ばれる圧縮方法の実験的な検証を報告する。 線形圧縮に基づく速度集群は圧縮器として進行波型の加速管を使用する。 実験は東京大学の原子力工学研究施設にあるS-バンドのフォトカソードRF電子銃と線形加速器を用いて行われた。1バンチごとのバンチ長はフェムト秒ストリークカメラにより、バンチあたりの電荷量1nCに対して、平均0.5$$pm$$0.1ps(rms)と測定された。この結果はPARMELAによるシミュレーションとよく一致している。

論文

Biological effect of penetration controlled irradiation with ion beams

田中 淳; 清水 隆志*; 菊地 正博; 小林 泰彦; 山下 孝生*; 渡辺 宏

JAERI-Conf 97-003, p.323 - 326, 1997/03

イオンビームを用いた深度制御照射技術の確立と、これを用いた細胞への照射効果を調べた。タンデム加速器に接続された深度制御細胞照射装置を用いて、照射窓からの距離を変化させてイオンの打ち込み深度を制御した。RCDフィルム及びCR-39フィルムを用いた結果から、照射距離を変化させることにより、細胞中のイオン打ち込み深度を1$$mu$$m$$sim$$30$$mu$$mまで直線的に制御できることが分かった。次に、これを用いてタバコ花粉細胞への打ち込み深度を変化させて、イオンビーム照射時にのみ観察される漏出花粉頻度を調べた。その結果、打ち込み深度の浅い(3$$sim$$4$$mu$$m)照射により漏出花粉が頻度高く観察された。このことは、イオンビームの細胞への打ち込み深度を制御することにより、細胞外殻に局所的に損傷を誘発することができることを示唆している。

報告書

15keVから500keVまでの鉛遮蔽材におけるビーム状斜入射光子再生効果

浅野 芳裕; 杉田 武志*

JAERI-Research 96-001, 164 Pages, 1996/01

JAERI-Research-96-001.pdf:5.03MB

ペンシルビーム状で、かつ斜入射の場合、および等方放射の場合の再生効果を鉛遮蔽について、モンテカルロ電磁力カスケードコードEGS4で計算し、グラフおよび表にまとめた。また、垂直一様入射の場合の再生係数を表わすのに使用されるGP法と比較し、入射角度が小さい場合は5mfPの範囲内で、それ以外では、10mfPの範囲内で良い一致をみた。検出器のサイズが再生効果に及ぼす影響についても検討した。これらの結果、放射光遮蔽計算で有効である点減衰核法にGP法で得られる再生係数を用いても良いことを確認した。

論文

アンペア級超低エネルギーイオン源の開発

前野 修一*; 中村 和幸; 奥村 義和; 神藤 勝啓*

第4回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム, p.19 - 22, 1993/00

数百eV以下のエネルギーの粒子(水素、ヘリウム等)による核融合炉第一壁の損耗について調べる為、超低エネルギーイオン源を開発した。このイオン源は、細いタングステンワイヤを密に並べた電極を持ち、数百eV以下のエネルギーでアンペア級の水素イオンビームを発生できる。イオン源の構造とビーム引出し特性について報告する。

論文

Radiation effects on methane in the presence of molecular sieves

清水 雄一; 永井 士郎; 畑田 元義

J.Chem.Soc.,Faraday Trans.,I, 79, p.1973 - 1986, 1983/00

モレキュラーシーブ(MS)3A、4A、5A、および13X存在下でメタンを電子線照射し、生成物を分析した。MS4A存在下ではC$$_{2}$$炭化水素が、またMS5A存在下ではC$$_{2}$$およびC$$_{3}$$炭化水素が選択的に生成する。これらの炭化水素の生成量および選択性は照射時間と共に減少した。メタン存在下で照射後のMSを水素流通下で再び照射すると、低級アルカンを主成分とする炭化水素を生成した。また、原料メタンへ水素を添加して照射すると、炭化水素の生成量の時間的減少が抑制された。これらの結果から、MSの反応活性の低下は、メタンから生成するcarbonaceous solidがMSの細孔内に沈積するためであり、それが水素添加によって抑制されるのはcarbonaceous solidの放射線による水素化分解が起るためであると結論した。

口頭

Emerging applications of radiation processing using EB

玉田 正男

no journal, , 

身の回りには腕時計用ボタン電池ラジアルタイヤなど放射線加工技術を応用した製品が数多く見受けられる。これらの製品は、放射線加工技術の「既存の材料への機構付加」、「材料中の均一な反応」など化学的な加工では成し得ない特長を生かして開発され実用化した。線量率が非常に高い電子線は効率的な生産プロセスに適しているが、透過性が劣るため、加工する材料の形状を工夫する必要がある。不織布は空隙率の高く、低エネルギーの電子線により、効率的に照射処理を行うことができる。このような不織布にグラフト重合により特定の金属と親和性の高い官能基を導入することで、シリコンウエハー洗浄液中の微量金属除去やセシウムを高速に除去可能な材料が開発されている。

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